+ - دوره ۱ ‏(۱۳۹۵)
بررسي تأثيرسطوح سيليکون بر جوانه‌زني و رشد اوليه اسپرس(OnobrychissativaL.)تحت تنش اسمزي
عنوان (انگلیسی): Effect of silicon levels on germination and seedling growth of Onobrychis sativa L. under osmotic stress
نشریه: گياه زراعی و تنشهای محيطی
شماره: گياه زراعی و تنشهای محيطی (دوره: ۱، شماره: ۱)
نویسنده: هادی زارع خورمیزی ، حمید سودایی زاده ، محمد رفيعی الحسينی
کلیدواژه‌ها : جوانه¬زنی ، سیلیكات سدیم ، تنش اسمزی ، پلی اتیلن گلایكول ، اسپرس
کلیدواژه‌ها (انگلیسی): sodium silicate , polyethylene glycol , osmotic stress , Sainfoin , germination
چکیده:

مطالعات اندكي در مورد اثرات سیلیکون بر جوانه¬زنی و رشد اولیه گیاهان تحت تنش خشکی در دسترس است. اين مطالعه به منظور بررسی اثر سیلیکون بر جوانه¬زنی و رشد اولیه اسپرس (Onobrychis sativa L.) تحت سطوح مختلف تنش اسمزی انجام پذيرفت. بدين منظور آزمایشی به صورت فاکتوریل در قالب طرح کاملا تصادفی در 4 تکرار در آزمايشگاه گیاه¬شناسی دانشگاه يزد در سال 1394 انجام گرفت. عامل اول سيليكون با سه سطح (0،‏ 0‎/5 و 1 میلی¬مولار) و عامل دوم تنش اسمزی با استفاده از PEG-6000 در سه سطح (0،‏ 4- و 8- بار) در نظر گرفته شد. نتایج نشان داد که با افزایش سطوح تنش اسمزی درصد و سرعت جوانه¬زنی،‏ بنیه بذر،‏ طول ریشه¬چه و ساقه¬چه و همچنین وزن خشک آنها به طور معنی¬دار (P<0‎/05) کم شدند. کاربرد سیلیکون باعث کاهش اثرات منفی ناشی از تنش اسمزی شد. مصرف سیلیکون با غلظت¬های 0‎/5 و 1 میلی¬مولار توانست سرعت جوانه¬زنی،‏ متوسط زمان جوانه¬زنی،‏ شاخص بنیه بذر و طول ریشه¬چه و ساقه¬چه و همچنین وزن خشک آنها را به طور معنی¬دار (P<0‎/05) بهبود دهد. بالاترین اثر مطلوب کاربرد سیلیکون در افزایش مقاومت به تنش اسمزی در غلظت 0‎/5 میلی¬مولار مشاهده شد. نقش مثبت سیلیکون در افزایش مقاومت به تنش اسمزی در ارتباط با دخالت اين ماده در فرآیند¬های بیوشیمیایی گیاهان است.

چکیده (انگلیسی):

There aren’t a lot available information about effects of silicon on seed germination and plants seedling growth under drought stress. This study was conducted to evaluate the effect of silicon levels on the germination and seedling growth of Onobrychis sativa L.under osmotic stress. A factorial experiment based on a completely randomized design with four replications was performed at botany laboratory of Yazd University in 2015. Three levels of silicon (sodium silicate) including 0, 0.5, 1 mMand three levels of osmotic stress using PEG-6000 including 0, -4, -8 bar were considered as first and second factors, respectively. The results showed that with increasing levels of osmotic stress, germination percentage, germination rate, vigor index, root and shoot length of seedling as well as dry weight significantly (p<0.05) decreased. Silicon application significantly diminished negative impacts of osmotic stress. Silicon concentrations of 0.5 and 1 mM significantly (p<0.05) improved germination rate, mean germination time, vigor index and root and shoot length of seedling and dry weight of test plant. The highest germination indexes obtained at 0.5 mM of silicon. The positive effect of silicon related to effects of this element on biochemical processes of plants under osmotic stress.

فایل مقاله : [دریافت (296.7 kB)] ‏186 دریافت تاكنون
صاحب امتیاز:
دانشگاه شهرکرد
مدیر مسئول:
دکتر مجید اولیا
سردبیر:
دکتر بهروز شیران
مدیر داخلی:
دکتر محمد رفیعی الحسینی